Crescita di semiconduttori (SiGe)

La LEPECVD viene utilizzata principalmente per la crescita epitassiale di film  di silicio-germanio e di silicio nanocristallino su substrati di silicio.  Un plasma a corrente continua viene utilizzato per rendere reattivi i gas di processo (SiH4 per la deposizione del Si e GeH4 per la deposizione del Ge) in modo che possano legarsi alla superficie del substrato. Variando la densità del plasma, anche attraverso l’applicazione di campi magnetici esterni, è possible variare il tasso di deposizione da pochi Ångstrom al secondo fino a qualche nanometro al secondo. Il substrato viene riscaldato durante la crescita con temperature variabili tra 100°C e  750°C. Attualmente nel nostro laboratorio sono in funzione due reattori LEPECVD, il primo in grado di processare substrati da  3 e 4 pollici il secondo substrati da 6 e 8 pollici.