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Dipartimento di Fisica - Politecnico di Milano

Spettroscopia di annichilazione di positroni ad energia regolabile (VEPAS)

Si tratta di una apparecchiatura nella quale i positroni generati dal decadimento di una sorgente radioattiva vengono dapprima rallentati fino ad energie dell’ordine di 1 keV, poi riaccelerati a energia regolabile fino a 20 keV e focalizzati in uno spot di qualche millimetro sulla superficie di un campione. La regolazione dell’energia, ottenuta modificando i potenziali elettrostatici di una serie di elettrodi, consente di impiantare i positroni nel campione in strati di profondità variabile (circa 1 µm in silicio). L’apparecchiatura, che nella figura è mostrata in fase di installazione, viene utilizzata in misure di spettroscopia positronica per indagini su difetti a volume aperto (vacanze e nanocavità) che si sono formati nel campione a seguito di trattamenti di deposizione o impiantazione ionica. La risoluzione spaziale per l’analisi di profili di densità dei difetti è dell’ordine della decina di nanometri.

 



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